我國科學家開發(fā)出面向新型芯片的絕緣材料
更新時間：2024/8/8 9:47:35 來源：新華社CNML文字
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新華社上海8月8日電（記者董雪、張建松）作為組成芯片的基本元件，晶體管的尺寸隨著芯片縮小不斷接近物理極限，其中發(fā)揮著絕緣作用的柵介質(zhì)材料十分關鍵。中國科學院上海微系統(tǒng)與信息技術研究所研究員狄增峰團隊開發(fā)出面向二維集成電路的單晶氧化鋁柵介質(zhì)材料——人造藍寶石，這種材料具有卓越的絕緣性能，即使在厚度僅為1納米時，也能有效阻止電流泄漏。相關成果8月7日發(fā)表于國際學術期刊《自然》。
“二維集成電路是一種新型芯片，用厚度僅為1個或幾個原子層的二維半導體材料構建，有望突破傳統(tǒng)芯片的物理極限。但由于缺少與之匹配的高質(zhì)量柵介質(zhì)材料，其實際性能與理論相比尚存較大差異�！敝袊茖W院上海微系統(tǒng)與信息技術研究所研究員狄增峰說。
狄增峰表示，傳統(tǒng)的柵介質(zhì)材料在厚度減小到納米級別時，絕緣性能會下降，進而導致電流泄漏，增加芯片的能耗和發(fā)熱量。為應對該難題，團隊創(chuàng)新開發(fā)出原位插層氧化技術。
“原位插層氧化技術的核心在于精準控制氧原子一層一層有序嵌入金屬元素的晶格中。”中國科學院上海微系統(tǒng)與信息技術研究所研究員田子傲說，“傳統(tǒng)氧化鋁材料通常呈無序結(jié)構，這會導致其在極薄層面上的絕緣性能大幅下降。”
具體來看，團隊首先以鍺基石墨烯晶圓作為預沉積襯底生長單晶金屬鋁，利用石墨烯與單晶金屬鋁之間較弱的范德華作用力，實現(xiàn)4英寸單晶金屬鋁晶圓無損剝離，剝離后單晶金屬鋁表面呈現(xiàn)無缺陷的原子級平整。隨后，在極低的氧氣氛圍下，氧原子逐層嵌入單晶金屬鋁表面的晶格中，最終得到穩(wěn)定、化學計量比準確、原子級厚度均勻的氧化鋁薄膜晶圓。
狄增峰介紹，團隊成功以單晶氧化鋁為柵介質(zhì)材料制備出低功耗的晶體管陣列，晶體管陣列具有良好的性能一致性。晶體管的擊穿場強、柵漏電流、界面態(tài)密度等指標均滿足國際器件與系統(tǒng)路線圖對未來低功耗芯片的要求，有望啟發(fā)業(yè)界發(fā)展新一代柵介質(zhì)材料。
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新華社上海8月8日電（記者董雪、張建松）作為組成芯片的基本元件，晶體管的尺寸隨著芯片縮小不斷接近物理極限，其中發(fā)揮著絕緣作用的柵介質(zhì)材料十分關鍵。中國科學院上海微系統(tǒng)與信息技術研究所研究員狄增峰團隊開發(fā)出面向二維集成電路的單晶氧化鋁柵介質(zhì)材料——人造藍寶石，這種材料具有卓越的絕緣性能，即使在厚度僅為1納米時，也能有效阻止電流泄漏。相關成果8月7日發(fā)表于國際學術期刊《自然》。
“二維集成電路是一種新型芯片，用厚度僅為1個或幾個原子層的二維半導體材料構建，有望突破傳統(tǒng)芯片的物理極限。但由于缺少與之匹配的高質(zhì)量柵介質(zhì)材料，其實際性能與理論相比尚存較大差異�！敝袊茖W院上海微系統(tǒng)與信息技術研究所研究員狄增峰說。
狄增峰表示，傳統(tǒng)的柵介質(zhì)材料在厚度減小到納米級別時，絕緣性能會下降，進而導致電流泄漏，增加芯片的能耗和發(fā)熱量。為應對該難題，團隊創(chuàng)新開發(fā)出原位插層氧化技術。
“原位插層氧化技術的核心在于精準控制氧原子一層一層有序嵌入金屬元素的晶格中。”中國科學院上海微系統(tǒng)與信息技術研究所研究員田子傲說，“傳統(tǒng)氧化鋁材料通常呈無序結(jié)構，這會導致其在極薄層面上的絕緣性能大幅下降。”
具體來看，團隊首先以鍺基石墨烯晶圓作為預沉積襯底生長單晶金屬鋁，利用石墨烯與單晶金屬鋁之間較弱的范德華作用力，實現(xiàn)4英寸單晶金屬鋁晶圓無損剝離，剝離后單晶金屬鋁表面呈現(xiàn)無缺陷的原子級平整。隨后，在極低的氧氣氛圍下，氧原子逐層嵌入單晶金屬鋁表面的晶格中，最終得到穩(wěn)定、化學計量比準確、原子級厚度均勻的氧化鋁薄膜晶圓。
狄增峰介紹，團隊成功以單晶氧化鋁為柵介質(zhì)材料制備出低功耗的晶體管陣列，晶體管陣列具有良好的性能一致性。晶體管的擊穿場強、柵漏電流、界面態(tài)密度等指標均滿足國際器件與系統(tǒng)路線圖對未來低功耗芯片的要求，有望啟發(fā)業(yè)界發(fā)展新一代柵介質(zhì)材料。
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